Продукція > IXYS > IXTP160N10T
IXTP160N10T

IXTP160N10T IXYS

IXT_160N10T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 430W
Gate charge: 132nC
Technology: Trench™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.89 грн
5+ 181.05 грн
13+ 171.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP160N10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP160N10T за ціною від 147.97 грн до 366.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP160N10T IXTP160N10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+271.4 грн
10+ 215.25 грн
100+ 184.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP160N10T IXTP160N10T Виробник : IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 430W
Gate charge: 132nC
Technology: Trench™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+293.86 грн
5+ 225.61 грн
13+ 205.96 грн
50+ 199.88 грн
100+ 198.14 грн
IXTP160N10T IXTP160N10T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+336.16 грн
50+ 256.68 грн
100+ 220.01 грн
500+ 183.53 грн
1000+ 157.15 грн
2000+ 147.97 грн
IXTP160N10T IXTP160N10T Виробник : IXYS media-3323466.pdf MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+366.61 грн
10+ 329.39 грн
50+ 248.89 грн
100+ 213.43 грн
250+ 207.17 грн
500+ 198.14 грн
IXTP160N10T IXTP160N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTP160N10T
Код товару: 202698 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n10t_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTP160N10T IXTP160N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній