IXTP15P15T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 233.76 грн |
3+ | 196.01 грн |
6+ | 156.08 грн |
15+ | 147.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP15P15T IXYS
Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP15P15T за ціною від 176.84 грн до 343.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP15P15T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -15A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 116ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP15P15T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP15P15T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP15P15T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXTP15P15T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXTP15P15T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXTP15P15T | Виробник : IXYS | MOSFET TenchP Power MOSFET |
товар відсутній |