![IXTP150N15X4 IXTP150N15X4](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXTP150N15X4 IXYS
![IXTH(P)150N15X4.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 498 грн |
3+ | 369.51 грн |
7+ | 349.18 грн |
50+ | 342.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP150N15X4 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP150N15X4 за ціною від 384.7 грн до 670.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP150N15X4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A Power dissipation: 480W Case: TO220AB On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP150N15X4 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IXTP150N15X4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IXTP150N15X4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXTP150N15X4 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
товар відсутній |