IXTP14N60X2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 303.38 грн |
| 3+ | 254.19 грн |
| 5+ | 202.05 грн |
| 12+ | 191.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP14N60X2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTP14N60X2 за ціною від 173.91 грн до 372.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP14N60X2 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTP14N60X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 180W Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 18A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP14N60X2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
на замовлення 1577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP14N60X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO220 600V 14A N-CH X2CLASS |
товар відсутній |