IXTP10N60P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 177.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP10N60P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP10N60P за ціною від 140.65 грн до 298.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP10N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.74Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 32nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTP10N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.74Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 32nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP10N60P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|