![IXTP100N04T2 IXTP100N04T2](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXTP100N04T2 IXYS
![IXTA(P)100N04T2.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 134.47 грн |
4+ | 112.52 грн |
10+ | 89.29 грн |
26+ | 84.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP100N04T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP100N04T2 за ціною від 79.45 грн до 200.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP100N04T2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: TO220AB On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 34ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP100N04T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP100N04T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP100N04T2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |