![IXTP08N120P IXTP08N120P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5545/238~TO220-3-TO220AB~~3.jpg)
IXTP08N120P IXYS
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 176.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP08N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP08N120P за ціною від 141.47 грн до 300.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP08N120P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP08N120P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP08N120P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO220AB; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB On-state resistance: 25Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP08N120P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO220AB; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB On-state resistance: 25Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns |
товар відсутній |