![IXTP05N100M IXTP05N100M](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5545/238%7ETO220-3-TO220AB%7E%7E3.jpg)
IXTP05N100M Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp05n100m_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 277.42 грн |
50+ | 211.64 грн |
100+ | 181.41 грн |
500+ | 151.33 грн |
1000+ | 129.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP05N100M Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP05N100M за ціною від 135.2 грн до 301.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP05N100M | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP05N100M | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP05N100M | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP05N100M | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns Case: TO220FP Reverse recovery time: 710ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.7A On-state resistance: 17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP05N100M | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns Case: TO220FP Reverse recovery time: 710ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.7A On-state resistance: 17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Mounting: THT |
товар відсутній |