![IXTN90N25L2 IXTN90N25L2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/408/IXYN82N120C3H1.jpg)
IXTN90N25L2 IXYS
![media?resourcetype=datasheets&itemid=c62d818e-4862-4ab8-af50-06096819ed00&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn90n25-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3495.47 грн |
10+ | 2999.36 грн |
100+ | 2632.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN90N25L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN90N25L2 за ціною від 2408.23 грн до 3735.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTN90N25L2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTN90N25L2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTN90N25L2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 640nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 266ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTN90N25L2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 250V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 360A Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Gate charge: 640nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 266ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |