на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3304.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN8N150L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V, Power Dissipation (Max): 545W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN8N150L за ціною від 2860.46 грн до 3630.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN8N150L | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V Power Dissipation (Max): 545W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTN8N150L | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.5kV; 7.5A; SOT227B; screw; Idm: 20A Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 545W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 3.6Ω Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 1.7µs Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXTN8N150L | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.5kV; 7.5A; SOT227B; screw; Idm: 20A Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 545W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 3.6Ω Gate charge: 250nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 1.7µs Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |