IXTN40P50P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2630.71 грн |
| 10+ | 2251.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN40P50P Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 890W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXTN40P50P за ціною від 1740.18 грн до 2898.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN40P50P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 890W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTN40P50P | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTN40P50P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; -500V; -40A; SOT227B; screw; Idm: -120A Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -40A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 890W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Gate charge: 205nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 477ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTN40P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 40A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTN40P50P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; -500V; -40A; SOT227B; screw; Idm: -120A Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -40A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 890W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Gate charge: 205nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 477ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |