![IXTN17N120L IXTN17N120L](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/SOT_227_4_DSL.jpg)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4207.92 грн |
10+ | 3895.96 грн |
30+ | 3278.65 грн |
100+ | 3167.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN17N120L IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A, Technology: Linear™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 34A, Power dissipation: 540W, Case: SOT227B, Gate-source voltage: ±40V, On-state resistance: 0.9Ω, Gate charge: 155nC, Kind of channel: enhanced, Semiconductor structure: single transistor, Reverse recovery time: 1.83µs, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTN17N120L за ціною від 3834.2 грн до 4239.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTN17N120L | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXTN17N120L | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.9Ω Gate charge: 155nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 1.83µs Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
IXTN17N120L | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.9Ω Gate charge: 155nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 1.83µs Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |