IXTN102N65X2

IXTN102N65X2 Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtn102n65x2_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 595AW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2402.01 грн
10+ 2055.31 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN102N65X2 Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 595W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTN102N65X2 за ціною від 1602.48 грн до 2609.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtn102n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2410.64 грн
5+ 2276.5 грн
10+ 2142.36 грн
50+ 1864.78 грн
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : IXYS media-3322346.pdf MOSFET Modules MBLOC 650V 76A N-CH X2CLASS
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2609.27 грн
10+ 2284.97 грн
20+ 1853.45 грн
50+ 1796.44 грн
100+ 1738.04 грн
200+ 1602.48 грн
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : IXYS IXTN102N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Case: SOT227B
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 152nC
Technology: X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 204A
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 450ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
On-state resistance: 30mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : IXYS IXTN102N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Case: SOT227B
Power dissipation: 595W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate charge: 152nC
Technology: X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±40V
Pulsed drain current: 204A
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 450ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
On-state resistance: 30mΩ
товар відсутній