![IXTL2N450 IXTL2N450](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/572/IXEL40N400.jpg)
IXTL2N450 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtl2n450_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8683.1 грн |
25+ | 7457.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTL2N450 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTL2N450
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTL2N450 Код товару: 119281 |
![]() |
товар відсутній
|
||
![]() |
IXTL2N450 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
IXTL2N450 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ Case: ISOPLUS i5-pac™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 2A Power dissipation: 220W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 180nC Reverse recovery time: 1.75µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 20Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IXTL2N450 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
IXTL2N450 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ Case: ISOPLUS i5-pac™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 2A Power dissipation: 220W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 180nC Reverse recovery time: 1.75µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 20Ω |
товар відсутній |