![IXTK90N25L2 IXTK90N25L2](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/5faa04e059397ad96cfee59ee1187ca90deac873/littelfuse_power_semi_to-264_3_h_4r_1w2n_3l_image.jpg.jpg)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2450.41 грн |
25+ | 2096.96 грн |
100+ | 1922.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK90N25L2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 250V 90A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK90N25L2 за ціною від 1619.63 грн до 3087.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTK90N25L2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTK90N25L2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTK90N25L2 | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTK90N25L2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTK90N25L2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTK90N25L2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTK90N25L2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 640nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 266ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTK90N25L2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 90A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 640nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 266ns |
товар відсутній |