![IXTK200N10P IXTK200N10P](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_264_DSL.jpg)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 818.76 грн |
25+ | 756.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK200N10P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTK200N10P за ціною від 621.86 грн до 1184.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTK200N10P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTK200N10P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 100ns |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTK200N10P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTK200N10P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTK200N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTK200N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |