Продукція > LITTELFUSE > IXTK120P20T
IXTK120P20T

IXTK120P20T Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+1729.61 грн
8+ 1609.8 грн
10+ 1445.06 грн
20+ 1350 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK120P20T Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTK120P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 120 A, 0.03 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IXTK120P20T за ціною від 1362.82 грн до 2220.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTK120P20T IXTK120P20T Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e&filename=littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2043.84 грн
IXTK120P20T IXTK120P20T Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007925076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTK120P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 120 A, 0.03 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2051.29 грн
5+ 1936.78 грн
10+ 1822.28 грн
50+ 1586.49 грн
IXTK120P20T IXTK120P20T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2077.29 грн
5+ 1989.28 грн
10+ 1902.76 грн
25+ 1705.34 грн
IXTK120P20T IXTK120P20T Виробник : IXYS media-3320951.pdf MOSFET TrenchP Power MOSFET
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2220.1 грн
10+ 2037.57 грн
25+ 1504.78 грн
100+ 1478.41 грн
250+ 1379.72 грн
500+ 1362.82 грн
IXTK120P20T IXTK120P20T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товар відсутній
IXTK120P20T IXTK120P20T Виробник : Littelfuse use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товар відсутній
IXTK120P20T IXTK120P20T Виробник : IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 740nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTK120P20T IXTK120P20T Виробник : IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 740nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній