IXTK120N65X2

IXTK120N65X2 Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_120n65x2_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1140.84 грн
25+ 1001.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK120N65X2 Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-264P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTK120N65X2 за ціною від 1113.68 грн до 1670.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 Виробник : IXYS media-3319906.pdf MOSFETs TO264 650V 120A N-CH X2CLASS
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1267.73 грн
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_120n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK120N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.023 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1670.53 грн
5+ 1527.81 грн
10+ 1385.09 грн
50+ 1246.32 грн
100+ 1113.68 грн
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixt_120n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 Виробник : IXYS IXT_120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 505ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 Виробник : IXYS IXT_120N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 505ns
товар відсутній