IXTK110N20L2 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2598.6 грн |
| 5+ | 2454.32 грн |
| 10+ | 2309.26 грн |
| 50+ | 2010.34 грн |
| 100+ | 1731.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK110N20L2 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTK110N20L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTK110N20L2 за ціною від 1864.57 грн до 3091.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK110N20L2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTK110N20L2 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTK110N20L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTK110N20L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTK110N20L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTK110N20L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IXTK110N20L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
IXTK110N20L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 110A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 420ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTK110N20L2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 110A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTK110N20L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 110A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 420ns |
товар відсутній |