![IXTK102N65X2 IXTK102N65X2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1211/IXTK102N65X2.jpg)
IXTK102N65X2 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_102n65x2_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 102A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1390.14 грн |
25+ | 1083.35 грн |
100+ | 1019.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK102N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 102A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK102N65X2 за ціною від 843.26 грн до 1495.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTK102N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTK102N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTK102N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTK102N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 152nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 450ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 102A On-state resistance: 30mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTK102N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 152nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 450ns Drain-source voltage: 650V Drain current: 102A On-state resistance: 30mΩ |
товар відсутній |