на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 774.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK102N30P IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK102N30P за ціною від 843.22 грн до 1081.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTK102N30P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
IXTK102N30P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товар відсутній |
||||||||
IXTK102N30P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товар відсутній |
||||||||
IXTK102N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 102A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Gate charge: 224nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 300V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
IXTK102N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 102A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Gate charge: 224nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 250ns Drain-source voltage: 300V |
товар відсутній |