![IXTJ6N150 IXTJ6N150](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1098.45 грн |
10+ | 1002.61 грн |
30+ | 772.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTJ6N150 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 3A, On-state resistance: 3.85Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 67nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Case: ISO247™, Reverse recovery time: 1.5µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTJ6N150
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTJ6N150 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A On-state resistance: 3.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: ISO247™ Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
IXTJ6N150 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 125W; ISO247™; 1.5us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A On-state resistance: 3.85Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: ISO247™ Reverse recovery time: 1.5µs |
товар відсутній |