![IXTH76P10T IXTH76P10T](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-%28H%29.jpg)
IXTH76P10T Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 382.97 грн |
30+ | 294.74 грн |
120+ | 273.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH76P10T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH76P10T за ціною від 246.21 грн до 621.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH76P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTH76P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTH76P10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 70ns |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTH76P10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTH76P10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTH76P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |