Продукція > IXYS CORPORATION > IXTH75N10
IXTH75N10

IXTH75N10 Ixys Corporation

crete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH75N10 Ixys Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH75N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH75N10 IXTH75N10 Виробник : Ixys Corporation crete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTH75N10 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf TO-263
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXTH75N10 IXTH75N10 Виробник : Ixys Corporation crete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXTH75N10 IXTH75N10 Виробник : Ixys Corporation crete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXTH75N10 IXTH75N10 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt___n10_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTH75N10 IXTH75N10 Виробник : IXYS ixys_s_a0008598152_1-2273275.pdf MOSFET STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
товар відсутній