IXTH6N50D2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 564.45 грн |
| 3+ | 376.77 грн |
| 7+ | 355.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH6N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTH6N50D2 за ціною від 407.69 грн до 817.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH6N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTH6N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 64ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH6N50D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH6N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|