Продукція > IXYS > IXTH500N04T2
IXTH500N04T2

IXTH500N04T2 IXYS


media-3321253.pdf Виробник: IXYS
MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A
на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1125.79 грн
10+ 1019.36 грн
30+ 836.35 грн
60+ 810.62 грн
120+ 753.62 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH500N04T2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO247-3; 84ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 500A, Power dissipation: 1kW, Case: TO247-3, On-state resistance: 1.6mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 405nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 84ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTH500N04T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH500N04T2 IXTH500N04T2 Виробник : IXYS IXTH(T)500N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO247-3; 84ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 405nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 84ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTH500N04T2 IXTH500N04T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 500A TO247
товар відсутній
IXTH500N04T2 IXTH500N04T2 Виробник : IXYS IXTH(T)500N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO247-3; 84ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 405nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 84ns
товар відсутній