Продукція > IXYS > IXTH38N30L2
IXTH38N30L2

IXTH38N30L2 IXYS


IXTH38N30L2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 400W; TO247-3; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH38N30L2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 400W; TO247-3; 420ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 38A, Power dissipation: 400W, Case: TO247-3, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 260nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: linear power mosfet, Reverse recovery time: 420ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTH38N30L2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH38N30L2 Виробник : Littelfuse media-3320495.pdf MOSFET Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
товар відсутній
IXTH38N30L2 IXTH38N30L2 Виробник : IXYS IXTH38N30L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 400W; TO247-3; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
товар відсутній