на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 734.4 грн |
| 10+ | 664.64 грн |
| 25+ | 620.9 грн |
| 50+ | 598.5 грн |
| 100+ | 481.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH36N50P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTH36N50P за ціною від 391.41 грн до 843.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH36N50P | Виробник : IXYS |
 MOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH36N50P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH36N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 540W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH36N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IXTH36N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
IXTH36N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTH36N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO247-3; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 36A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTH36N50P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTH36N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO247-3; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 36A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns |
товар відсутній |