![IXTH30N60P IXTH30N60P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-%28H%29.jpg)
IXTH30N60P Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n60p_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 721.2 грн |
30+ | 553.95 грн |
120+ | 495.65 грн |
510+ | 410.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH30N60P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH30N60P за ціною від 391.41 грн до 785.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH30N60P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTH30N60P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTH30N60P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTH30N60P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTH30N60P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs |
товар відсутній |