![IXTH24N50 IXTH24N50](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
IXTH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR
![IXYS-S-A0008595607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MegaMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1247.74 грн |
5+ | 1092.17 грн |
10+ | 904.54 грн |
50+ | 753.54 грн |
100+ | 641.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH24N50 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH24N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MegaMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTH24N50
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXTH24N50 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 271 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IXTH24N50 | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXTH24N50 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IXTH24N50 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |