Продукція > IXYS > IXTH240N15X4
IXTH240N15X4

IXTH240N15X4 IXYS


IXTH240N15X4_HV.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 130ns
на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+862.32 грн
2+ 644.64 грн
4+ 609.8 грн
10+ 609.07 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH240N15X4 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH240N15X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 240 A, 0.0044 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 940W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IXTH240N15X4 за ціною від 543.55 грн до 1101.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH240N15X4 IXTH240N15X4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_240n15x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 240A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+949.88 грн
30+ 740.32 грн
120+ 696.77 грн
510+ 592.59 грн
1020+ 543.55 грн
IXTH240N15X4 IXTH240N15X4 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007925120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH240N15X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 240 A, 0.0044 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 940W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1021.8 грн
10+ 938.93 грн
30+ 793.52 грн
IXTH240N15X4 IXTH240N15X4 Виробник : IXYS IXTH240N15X4_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 240A; 940W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 940W
Case: TO247-3
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1034.78 грн
2+ 803.33 грн
4+ 731.76 грн
10+ 730.89 грн
510+ 703.01 грн
IXTH240N15X4 IXTH240N15X4 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Ultra_Juncti-1594948.pdf MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1101.7 грн
10+ 1007.42 грн
30+ 806.33 грн
120+ 727.58 грн
510+ 686.46 грн