![IXTH22N50P IXTH22N50P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4818/238%3BTO247-3%3B%3B3.jpg)
IXTH22N50P IXYS
![media?resourcetype=datasheets&itemid=39887b02-dd05-409b-a377-79ee2691c4f1&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-standard-ixt-22n50p-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
на замовлення 11370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 456.85 грн |
30+ | 348.48 грн |
120+ | 298.69 грн |
510+ | 249.16 грн |
1020+ | 213.35 грн |
2010+ | 200.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH22N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH22N50P за ціною від 204.89 грн до 491.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH22N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTH22N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTH22N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTH22N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns |
товар відсутній |