![IXTH1N200P3HV IXTH1N200P3HV](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2177/TO-247-HV-EP.jpg)
IXTH1N200P3HV Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 637.73 грн |
30+ | 490.18 грн |
120+ | 438.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH1N200P3HV Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH1N200P3HV за ціною від 454.67 грн до 683.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH1N200P3HV | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTH1N200P3HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTH1N200P3HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 1A Power dissipation: 125W Case: TO247HV On-state resistance: 40Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 2.3µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTH1N200P3HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 1A Power dissipation: 125W Case: TO247HV On-state resistance: 40Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 2.3µs |
товар відсутній |