![IXTH140P05T IXTH140P05T](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/11/13/19/40/17/476109/ltf_/manual/littelfuse_power_semi_to-247_3_h_2sq_1w2n_3l_image.jpg.jpg)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 413.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH140P05T Littelfuse
Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH140P05T за ціною від 414.23 грн до 736.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH140P05T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -140A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH140P05T | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH140P05T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -140A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH140P05T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|