Продукція > IXYS > IXTH110N25T
IXTH110N25T

IXTH110N25T IXYS

IXTH110N25T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+584 грн
2+ 410.16 грн
6+ 387.66 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH110N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH110N25T за ціною від 393.76 грн до 741.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+692.81 грн
30+ 532.12 грн
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : IXYS IXTH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+700.8 грн
2+ 511.13 грн
6+ 465.19 грн
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : IXYS media-3319994.pdf MOSFET 110 Amps 250V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+741.52 грн
10+ 673.22 грн
30+ 500.38 грн
120+ 463.45 грн
270+ 410.48 грн
510+ 393.76 грн
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній