IXTH05N250P3HV IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.5kV; 0.33A; Idm: 1A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2.5kV
Drain current: 0.33A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 104W
Case: TO247HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 110Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.2µs
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 820.88 грн |
| 2+ | 643.19 грн |
| 3+ | 642.47 грн |
| 4+ | 607.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH05N250P3HV IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.5kV; 0.33A; Idm: 1A; 104W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Polar3™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 2.5kV, Drain current: 0.33A, Pulsed drain current: 1A, Power dissipation: 104W, Case: TO247HV, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 110Ω, Mounting: THT, Gate charge: 10.5nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 1.2µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTH05N250P3HV за ціною від 729.15 грн до 985.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTH05N250P3HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.5kV; 0.33A; Idm: 1A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2.5kV Drain current: 0.33A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 104W Case: TO247HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 110Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.2µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|