IXTF6N200P3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 4A; 215W; 520ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 215W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 520ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTF6N200P3 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 4A; 215W; 520ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 2kV, Drain current: 4A, Power dissipation: 215W, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Mounting: THT, Gate charge: 143nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 520ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTF6N200P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTF6N200P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH |
товар відсутній |
||
| IXTF6N200P3 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3 |
товар відсутній |
||
|
|
IXTF6N200P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 4A; 215W; 520ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 4A Power dissipation: 215W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 520ns |
товар відсутній |