IXTA96P085T-TRL Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 274.75 грн |
| 1600+ | 238.11 грн |
| 2400+ | 223.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA96P085T-TRL Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 298W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXTA96P085T-TRL за ціною від 214.21 грн до 438.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA96P085T-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T TRL | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTA96P085T-TRL | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 298W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T TRL | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTA96P085T-TRL | Виробник : IXYS |
MOSFET IXTA96P085T TRL |
на замовлення 3483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T-TRL | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V |
на замовлення 7761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T-TRL | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IXTA96P085T-TRL | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T TRL | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |