IXTA80N10T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 327.05 грн |
| 50+ | 163.06 грн |
| 100+ | 148.33 грн |
| 500+ | 114.96 грн |
| 1000+ | 107.16 грн |
| 2000+ | 107.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA80N10T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA80N10T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA80N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA80N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTA80N10T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTA80N10T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA80N10T | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: TO263 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA80N10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTA80N10T | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: TO263 On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns |
товару немає в наявності |