IXTA6N50D2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 608.32 грн |
| 2+ | 422.92 грн |
| 6+ | 399.75 грн |
| 250+ | 388.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA6N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTA6N50D2 за ціною від 311.15 грн до 745.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA6N50D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTA6N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTA6N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTA6N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|