IXTA6N100D2 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 651.35 грн |
50+ | 500.95 грн |
100+ | 448.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA6N100D2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA6N100D2 за ціною від 352.64 грн до 707.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA6N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 3147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTA6N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 41ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTA6N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO263 On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 41ns |
товар відсутній |