IXTA62N15P IXYS
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 342.93 грн |
50+ | 261.87 грн |
100+ | 224.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA62N15P IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA62N15P за ціною від 203 грн до 372.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA62N15P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTA62N15P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTA62N15P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 62A Power dissipation: 350W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTA62N15P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 62A Power dissipation: 350W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns |
товар відсутній |