IXTA60N10T Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.27 грн |
50+ | 147.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA60N10T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA60N10T за ціною від 94.55 грн до 206.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA60N10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXTA60N10T Код товару: 148376 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IXTA60N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTA60N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 176W Case: TO263 On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 59ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTA60N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 176W Case: TO263 On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 59ns |
товар відсутній |