IXTA60N10T

IXTA60N10T Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.27 грн
50+ 147.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA60N10T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA60N10T за ціною від 94.55 грн до 206.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA60N10T IXTA60N10T Виробник : IXYS media-3322180.pdf MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.83 грн
10+ 169.49 грн
100+ 116.8 грн
250+ 107.76 грн
500+ 98.03 грн
1000+ 94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA60N10T
Код товару: 148376
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTA60N10T IXTA60N10T Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA60N10T IXTA60N10T Виробник : IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA60N10T IXTA60N10T Виробник : IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
товар відсутній