Продукція > IXYS > IXTA52P10P
IXTA52P10P

IXTA52P10P IXYS


IXT_52P10P.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.02 грн
3+ 365.15 грн
4+ 280.94 грн
9+ 265.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA52P10P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції IXTA52P10P за ціною від 236.22 грн до 524.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA52P10P IXTA52P10P Виробник : Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.62 грн
50+ 354.25 грн
100+ 316.97 грн
500+ 262.47 грн
1000+ 236.22 грн
IXTA52P10P IXTA52P10P Виробник : IXYS media-3322437.pdf MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+500.85 грн
10+ 441.6 грн
50+ 368.67 грн
100+ 317.79 грн
250+ 302.46 грн
500+ 279.46 грн
1000+ 274.58 грн
IXTA52P10P IXTA52P10P Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+523.02 грн
25+ 447.97 грн
100+ 372.92 грн
250+ 326.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA52P10P IXTA52P10P Виробник : IXYS IXT_52P10P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.43 грн
3+ 455.04 грн
4+ 337.13 грн
9+ 318.84 грн
IXTA52P10P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_52p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA52P10P IXTA52P10P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_52p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній