IXTA4N65X2 Littelfuse Inc.
![a](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 102.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA4N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA4N65X2 за ціною від 93.16 грн до 235.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA4N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA4N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA4N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA4N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |