![IXTA3N150HV IXTA3N150HV](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A8/2E/00/00/0/57994_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=55549db1bb3cf69cf46f82fe25a56068d587bde5)
IXTA3N150HV IXYS
![IXTA3N150HV.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 38.6nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 764.59 грн |
2+ | 508.17 грн |
5+ | 480.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA3N150HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA3N150HV за ціною від 576.7 грн до 917.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 336 шт: термін постачання 487-496 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 3A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 38.6nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTA3N150HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
|
IXTA3N150HV | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V |
товар відсутній |