![IXTA36N30P IXTA36N30P](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/11/13/19/41/44/708568/ltf_/manual/littelfuse_power_semi_to-263_3_1s2c_image.jpg.jpg)
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 188.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA36N30P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA36N30P за ціною від 151.33 грн до 373.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA36N30P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA36N30P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 9100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA36N30P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA36N30P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXTA36N30P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA36N30P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA36N30P Код товару: 52904 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
IXTA36N30P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |