![IXTA1R6N100D2HV IXTA1R6N100D2HV](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3930113-40.jpg)
IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE
![LFSI-S-A0009972202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: LITTELFUSE - IXTA1R6N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 233.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTA1R6N100D2HV за ціною від 252.26 грн до 415.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 970ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTA1R6N100D2HV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.6A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 970ns |
товар відсутній |