![IXTA1N170DHV IXTA1N170DHV](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6310/238%7ETO263%28D2PAK-HV%29%7E%7E2.jpg)
IXTA1N170DHV Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1n170dhv_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1492.04 грн |
50+ | 1190.75 грн |
100+ | 1116.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1N170DHV Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Supplier Device Package: TO-263HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA1N170DHV за ціною від 999.03 грн до 1612.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA1N170DHV | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 2437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTA1N170DHV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1A Power dissipation: 290W Case: TO263HV On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTA1N170DHV | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1A Power dissipation: 290W Case: TO263HV On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 30ns |
товар відсутній |