на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.56 грн |
10+ | 178.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA1N100P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns, Mounting: SMD, Case: TO263, Kind of package: tube, Power dissipation: 50W, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 750ns, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1A, On-state resistance: 15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTA1N100P за ціною від 119.87 грн до 211.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTA1N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 491-500 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTA1N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTA1N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Power dissipation: 50W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 750ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTA1N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns Mounting: SMD Case: TO263 Kind of package: tube Power dissipation: 50W Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 750ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |